MOSFET DiodesZetex, canale N 100 V, 4 Ω Miglioramento, 320 mA, 3 Pin, E-Line, Foro passante ZVN2110ASTZ
- Codice RS:
- 669-7603
- Codice costruttore:
- ZVN2110ASTZ
- Costruttore:
- DiodesZetex
Prezzo per 1 confezione da 10 unità*
8,44 €
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 0,844 € | 8,44 € |
| 50 - 90 | 0,772 € | 7,72 € |
| 100 + | 0,752 € | 7,52 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 669-7603
- Codice costruttore:
- ZVN2110ASTZ
- Costruttore:
- DiodesZetex
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 320mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | E-Line | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 4Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -20V, +20V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 700mW | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 4.77mm | |
| Larghezza | 2.41mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 4.01mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 320mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package E-Line | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 700mW | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 4.77mm | ||
Larghezza 2.41mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 4.01mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | ||
MOSFET a canale N, da 100 a 950 V, Diodes Inc
Transistor MOSFET, Diodes Inc.
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