MOSFET onsemi, canale Tipo N 600 V, 190 mΩ Miglioramento, 20 A, 3 Pin, TO-263, Superficie FCB20N60TM
- Codice RS:
- 671-0330P
- Codice costruttore:
- FCB20N60TM
- Costruttore:
- onsemi
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- 671-0330P
- Codice costruttore:
- FCB20N60TM
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 20A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Serie | SuperFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 190mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.4V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 208W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 75nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 4.83mm | |
| Lunghezza | 9.65mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 20A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Serie SuperFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 190mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.4V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 208W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 75nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 4.83mm | ||
Lunghezza 9.65mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET a canale N SuperFET® e SuperFET® II, Fairchild Semiconductor
Fairchild ha aggiunto ai propri prodotti la famiglia di MOSFET di potenza ad alta tensione SuperFET® II che utilizza la Tecnologia Super Junction. Offre un diodo integrato dalle prestazioni solide e migliori della categoria nelle applicazioni con alimentatori switching c.a.-c.c. come server, telecomunicazioni, informatica, alimentatori industriali, UPS/ESS, inverter solari, applicazioni di illuminazione, che richiedono un'elevata densità di potenza, efficienza del sistema e affidabilità.
Grazie a un'avanzata tecnologia di bilanciamento della carica, i progettisti possono realizzare soluzioni più efficienti e ad alte prestazioni che richiedono meno spazio su scheda e migliorano l'affidabilità.
Transistor MOSFET, ON Semi
Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.