2 MOSFET onsemi Tipo isolato, canale N, 400 mΩ, 750 mA 30 V, US, Superficie Miglioramento, 6 Pin FDG8850NZ
- Codice RS:
- 671-0362P
- Codice costruttore:
- FDG8850NZ
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 671-0362P
- Codice costruttore:
- FDG8850NZ
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Configurazione transistor | Tipo isolato | |
| Tipo di canale | N | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds) | 400 mΩ | |
| Massima corrente di scarico continua (Id) | 750 mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico (Vds) | 30 V | |
| Tipo di package | US | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Numero pin | 6 | |
| Altezza | 1 mm | |
| Lunghezza | 2 mm | |
| Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs) | 12 V, -12 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150 °C | |
| Dissipazione di potenza massima (Pd) | 360 mW | |
| Minima temperatura operativa | -55 °C | |
| Serie | PowerTrench | |
| Larghezza | 1.25 mm | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Configurazione transistor Tipo isolato | ||
Tipo di canale N | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds) 400 mΩ | ||
Massima corrente di scarico continua (Id) 750 mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico (Vds) 30 V | ||
Tipo di package US | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Numero pin 6 | ||
Altezza 1 mm | ||
Lunghezza 2 mm | ||
Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs) 12 V, -12 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150 °C | ||
Dissipazione di potenza massima (Pd) 360 mW | ||
Minima temperatura operativa -55 °C | ||
Serie PowerTrench | ||
Larghezza 1.25 mm | ||
PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
ON Semis PowerTrench® MOSFETS are optimised power switched that offer increased system efficiency and power density. They combine small gate charge, small reverse recovery and a soft reverse recovery body diode to contribute to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.