2 MOSFET onsemi Tipo isolato, canale Tipo N, Tipo P, 63 mΩ, 6.2 A 40 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin FDS4897C
- Codice RS:
- 671-0539P
- Codice costruttore:
- FDS4897C
- Costruttore:
- onsemi
- Codice RS:
- 671-0539P
- Codice costruttore:
- FDS4897C
- Costruttore:
- onsemi
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N, Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 6.2A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Serie | PowerTrench | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 63mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 700mV | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 20nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -20V, +20V | |
| Configurazione transistor | Tipo isolato | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS Compliant | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Altezza | 1.5mm | |
| Larghezza | 4mm | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Configurazione transistor | Tipo isolato | |
| Tipo di canale | Tipo N, Tipo P | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds) | 63 mΩ | |
| Massima corrente di scarico continua (Id) | 6.2 A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico (Vds) | 40 V | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Numero pin | 8 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Tensione diretta (Vf) | 700 mV | |
| Altezza | 1.5 mm | |
| Lunghezza | 5 mm | |
| Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs) | -20 V, +20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150 °C | |
| Dissipazione di potenza massima (Pd) | 2 W | |
| Minima temperatura operativa | -55 °C | |
| Serie | PowerTrench | |
| Standard/Approvazioni | RoHS Compliant | |
| Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs | 20 nC | |
| Larghezza | 4 mm | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N, Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 6.2A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package SOIC | ||
Serie PowerTrench | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 63mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 700mV | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 20nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V | ||
Configurazione transistor Tipo isolato | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS Compliant | ||
Lunghezza 5mm | ||
Altezza 1.5mm | ||
Larghezza 4mm | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico No | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Configurazione transistor Tipo isolato | ||
Tipo di canale Tipo N, Tipo P | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds) 63 mΩ | ||
Massima corrente di scarico continua (Id) 6.2 A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico (Vds) 40 V | ||
Tipo di package SOIC | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Numero pin 8 | ||
Standard automobilistico No | ||
Tensione diretta (Vf) 700 mV | ||
Altezza 1.5 mm | ||
Lunghezza 5 mm | ||
Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs) -20 V, +20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150 °C | ||
Dissipazione di potenza massima (Pd) 2 W | ||
Minima temperatura operativa -55 °C | ||
Serie PowerTrench | ||
Standard/Approvazioni RoHS Compliant | ||
Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs 20 nC | ||
Larghezza 4 mm | ||