MOSFET onsemi, canale N, 22 mΩ, 27 mΩ, 6,9 A, 8,2 A, SOIC, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 671-0643
- Codice costruttore:
- FDS6900AS
- Costruttore:
- onsemi
Prezzo per 1 confezione da 5 unità*
1,49 €
(IVA esclusa)
1,82 €
(IVA inclusa)
Informazioni sulle scorte attualmente non disponibili
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 + | 0,298 € | 1,49 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 671-0643
- Codice costruttore:
- FDS6900AS
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | N | |
| Corrente massima continuativa di drain | 6,9 A, 8,2 A | |
| Tensione massima drain source | 30 V | |
| Serie | PowerTrench, SyncFET | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima drain source | 22 mΩ, 27 mΩ | |
| Modalità del canale | Enhancement | |
| Tensione di soglia gate minima | 1V | |
| Dissipazione di potenza massima | 2 W | |
| Configurazione transistor | Serie | |
| Tensione massima gate source | -20 V, +20 V | |
| Materiale del transistor | Si | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Larghezza | 3.99mm | |
| Massima temperatura operativa | +150 °C | |
| Carica gate tipica @ Vgs | 10 nC a 10 V, 11 nC a 10 V | |
| Numero di elementi per chip | 2 | |
| Altezza | 1.5mm | |
| Minima temperatura operativa | -55 °C | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale N | ||
Corrente massima continuativa di drain 6,9 A, 8,2 A | ||
Tensione massima drain source 30 V | ||
Serie PowerTrench, SyncFET | ||
Tipo di package SOIC | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima drain source 22 mΩ, 27 mΩ | ||
Modalità del canale Enhancement | ||
Tensione di soglia gate minima 1V | ||
Dissipazione di potenza massima 2 W | ||
Configurazione transistor Serie | ||
Tensione massima gate source -20 V, +20 V | ||
Materiale del transistor Si | ||
Lunghezza 5mm | ||
Larghezza 3.99mm | ||
Massima temperatura operativa +150 °C | ||
Carica gate tipica @ Vgs 10 nC a 10 V, 11 nC a 10 V | ||
Numero di elementi per chip 2 | ||
Altezza 1.5mm | ||
Minima temperatura operativa -55 °C | ||
- Paese di origine:
- MY
MOSFET doppio SyncFET™ PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
Progettato per ridurre al minimo le perdite nella conversione di potenza mantenendo al contempo eccellenti prestazioni di commutazione
Tecnologia Trench ad alte prestazioni per garantire una bassissima resistenza RDS(on)
La tecnologia SyncFET™ usufruisce di un efficiente diodo Schottky integrato
Applicazioni: convertitori c.c.-c.c. a raddrizzamento sincrono, azionamenti per motori, interruttori low side con punto di carico su rete
Tecnologia Trench ad alte prestazioni per garantire una bassissima resistenza RDS(on)
La tecnologia SyncFET™ usufruisce di un efficiente diodo Schottky integrato
Applicazioni: convertitori c.c.-c.c. a raddrizzamento sincrono, azionamenti per motori, interruttori low side con punto di carico su rete
Transistor MOSFET, ON Semi
Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.
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