2 MOSFET onsemi Tipo isolato, canale Tipo N, Tipo P, 21 mΩ, 8.6 A 30 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin

Codice RS:: 671-0719P
Codice costruttore:: FDS8858CZ
Costruttore:: onsemi

2 MOSFET onsemi Tipo isolato, canale Tipo N, Tipo P, 21 mΩ, 8.6 A 30 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Codice RS:: 671-0719P
Codice costruttore:: FDS8858CZ
Costruttore:: onsemi

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo di canale	Tipo N, Tipo P
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	8.6A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	30V
	Tipo di package	SOIC
	Serie	PowerTrench
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	21mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	25 V
	Dissipazione di potenza massima Pd	1.6W
	Tensione diretta Vf	0.8V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	17nC
	Configurazione transistor	Tipo isolato
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Larghezza	4 mm
	Standard/Approvazioni	No
	Altezza	1.5mm
	Lunghezza	5mm
	Numero elementi per chip	2
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio onsemi
	Tipo di canale Tipo N, Tipo P
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 8.6A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V
	Tipo di package SOIC
	Serie PowerTrench
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 21mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 25 V
	Dissipazione di potenza massima Pd 1.6W
	Tensione diretta Vf 0.8V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 17nC
	Configurazione transistor Tipo isolato
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Larghezza 4 mm
	Standard/Approvazioni No
	Altezza 1.5mm
	Lunghezza 5mm
	Numero elementi per chip 2
	Standard automobilistico No

MOSFET doppio a canale N/P PowerTrench®, Fairchild Semiconductor

I MOSFET PowerTrench® sono interruttori di potenza ottimizzati che consentono di aumentare l'efficienza e la densità di potenza del sistema. Tali dispositivi combinano una bassa carica di gate (Qg), una bassa carica di recupero inverso (Qrr) e un diodo integrato a recupero inverso graduale, che contribuisce a una rapida commutazione del raddrizzamento sincrono in alimentatori c.a./c.c..

I più recenti MOSFET PowerTrench® adottano la struttura a gate schermato che offre il bilanciamento della carica. Grazie a questa avanzata tecnologia, il FOM (fattore di merito) di questi dispositivi è notevolmente inferiore rispetto a quello della generazione precedente.

Le prestazioni soft del diodo integrato del MOSFET PowerTrench® sono in grado di eliminare il circuito di protezione o di sostituire un MOSFET con una tensione nominale maggiore.

Transistor MOSFET, ON Semi

Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.