MOSFET onsemi, canale N 30 V, 6 mΩ Miglioramento, 15 A, 8 Pin, SOIC, Superficie
- Codice RS:
- 671-0731P
- Codice costruttore:
- FDS8896
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
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- FDS8896
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 15A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Serie | PowerTrench | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 6mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2.5W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 50nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -20V, +20V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 1.5mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Larghezza | 4mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 15A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package SOIC | ||
Serie PowerTrench | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 6mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2.5W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 50nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 1.5mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 5mm | ||
Larghezza 4mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET a canale N PowerTrench® da 10 A a 19,9A, Fairchild Semiconductor
Transistor MOSFET, ON Semi
Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.