Codice costruttore

MOSFET onsemi, canale Tipo N 20 V, 220 mΩ Miglioramento, 900 mA, 3 Pin, SOT-23, Superficie

Codice RS:: 671-0797P
Codice costruttore:: FDV305N
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale Tipo N 20 V, 220 mΩ Miglioramento, 900 mA, 3 Pin, SOT-23, Superficie

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Codice RS:: 671-0797P
Codice costruttore:: FDV305N
Costruttore:: onsemi

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Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	900mA
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	20V
	Tipo di package	SOT-23
	Serie	PowerTrench
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	220mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	350mW
	Tensione diretta Vf	0.75V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	1.1nC
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Altezza	0.93mm
	Lunghezza	2.92mm
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio onsemi
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 900mA
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V
	Tipo di package SOT-23
	Serie PowerTrench
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 220mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 350mW
	Tensione diretta Vf 0.75V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 1.1nC
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Altezza 0.93mm
	Lunghezza 2.92mm
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico No

MOSFET a canale N PowerTrench® fino a 9,9A, Fairchild Semiconductor

Transistor MOSFET, ON Semi

Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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