1 MOSFET onsemi Singolo, canale N, 240 mΩ, 600 mA 20 V, SOT-523 (SC-89), Superficie Miglioramento, 3 Pin FDY300NZ
- Codice RS:
- 671-0845P
- Codice costruttore:
- FDY300NZ
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 671-0845P
- Codice costruttore:
- FDY300NZ
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tipo di canale | N | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds) | 240 mΩ | |
| Massima corrente di scarico continua (Id) | 600 mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico (Vds) | 20 V | |
| Tipo di package | SOT-523 (SC-89) | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Numero pin | 3 | |
| Altezza | 780 μm | |
| Lunghezza | 1.7 mm | |
| Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs) | 12 V, -12 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150 °C | |
| Dissipazione di potenza massima (Pd) | 625 mW | |
| Minima temperatura operativa | -55 °C | |
| Serie | PowerTrench | |
| Larghezza | 980 μm | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tipo di canale N | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds) 240 mΩ | ||
Massima corrente di scarico continua (Id) 600 mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico (Vds) 20 V | ||
Tipo di package SOT-523 (SC-89) | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Numero pin 3 | ||
Altezza 780 μm | ||
Lunghezza 1.7 mm | ||
Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs) 12 V, -12 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150 °C | ||
Dissipazione di potenza massima (Pd) 625 mW | ||
Minima temperatura operativa -55 °C | ||
Serie PowerTrench | ||
Larghezza 980 μm | ||
PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.