MOSFET onsemi, canale Tipo P 100 V, 125 mΩ Miglioramento, 22 A, 3 Pin, TO-263, Superficie
- Codice RS:
- 671-0879P
- Codice costruttore:
- FQB22P10TM
- Costruttore:
- onsemi
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|---|---|
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- Codice RS:
- 671-0879P
- Codice costruttore:
- FQB22P10TM
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 22A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Serie | QFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 125mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 40nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 3.75W | |
| Tensione diretta Vf | -4V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 4.83mm | |
| Lunghezza | 10.67mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 22A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Serie QFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 125mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 40nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 3.75W | ||
Tensione diretta Vf -4V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 4.83mm | ||
Lunghezza 10.67mm | ||
Standard automobilistico No | ||
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