1 MOSFET onsemi Singolo, canale N, 3.6 Ω, 3.9 A 800 V, TO-263, Montaggio superficiale Miglioramento, 3 Pin FQB4N80TM
- Codice RS:
- 671-0908P
- Codice costruttore:
- FQB4N80TM
- Costruttore:
- onsemi
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|---|---|
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- Codice RS:
- 671-0908P
- Codice costruttore:
- FQB4N80TM
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 3.9A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 800V | |
| Serie | QFET | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3.6Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -30V, +30V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 3.13W | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 4.83mm | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 3.9A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 800V | ||
Serie QFET | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3.6Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -30V, +30V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 3.13W | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 4.83mm | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
- Paese di origine:
- MY
MOSFET a canale N QFET®, fino a 5,9 A, Fairchild Semiconductor
I nuovi MOSFET planari QFET® FairField Semiconductor utilizzano una tecnologia avanzata e proprietaria per offrire le migliori prestazioni operative della classe per un'ampia gamma di applicazioni, tra cui alimentatori, PFC (correzione del fattore di potenza), convertitori c.c.-c.c., pannelli display al plasma (PDP), ballast di illuminazione e controllo del movimento.
Offrono una perdita di stato on ridotta riducendo la resistenza di on (RDS(on)), e una perdita di commutazione ridotta riducendo la carica del gate (Qg) e la capacità di uscita (Coss). Utilizzando la tecnologia di processo QFET® avanzata, Fairchild è in grado di offrire una cifra di merito (FOM) migliorata rispetto ai dispositivi MOSFET Planar concorrenti.
Transistor MOSFET, ON Semi
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I MOSFET semi-ON forniscono un'affidabilità di progettazione superiore, dai picchi di tensione ridotti e dall'eccesso di sovratensione, alla capacità di giunzione più bassa e alla carica di recupero inverso, all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi in funzione e funzionanti più a lungo.