MOSFET onsemi, canale Tipo N 100 V, 180 mΩ Miglioramento, 10 A, 3 Pin, TO-252, Superficie FQD13N10LTM
- Codice RS:
- 671-0952P
- Codice costruttore:
- FQD13N10LTM
- Costruttore:
- onsemi
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 50 - 95 | 1,02 € |
| 100 - 495 | 0,888 € |
| 500 - 995 | 0,78 € |
| 1000 + | 0,706 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 671-0952P
- Codice costruttore:
- FQD13N10LTM
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 10A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Serie | QFET | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 180mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2.5W | |
| Tensione diretta Vf | 1.5V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 8.7nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 6.6mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 2.3mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 10A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Serie QFET | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 180mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2.5W | ||
Tensione diretta Vf 1.5V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 8.7nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 6.6mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 2.3mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- MY
MOSFET a canale N QFET® da 6 A a 10,9 A, Fairchild Semiconductor
I nuovi MOSFET planari QFET® di Fairchild Semiconductor adottano un'avanzata tecnologia brevettata al fine di offrire le migliori prestazioni operative della categoria per un'ampia gamma di applicazioni, tra cui alimentatori, correzione del fattore di potenza (PFC), convertitori c.c.-c.c., display al plasma (PDP), resistenze di illuminazione, e controllo del movimento.
Garantiscono ridotte perdite allo stato attivo grazie a una minore resistenza (RDS(on)) e ridotte perdite di commutazione grazie a una minore carica di gate (Qg) e capacità di uscita (Coss). L'avanzata tecnologia di processo QFET® consente a Fairchild di offrire un migliore fattore di merito (FOM) rispetto ai dispositivi MOSFET planari della concorrenza.
Transistor MOSFET, ON Semi
Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.