MOSFET onsemi, canale Tipo N 1 kV, 1.45 Ω Miglioramento, 8 A, 3 Pin, TO-3PN, Foro passante
- Codice RS:
- 671-4972P
- Codice costruttore:
- FQA8N100C
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 671-4972P
- Codice costruttore:
- FQA8N100C
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 8A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1kV | |
| Tipo di package | TO-3PN | |
| Serie | QFET | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.45Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 53nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 225W | |
| Tensione diretta Vf | 1.4V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 15.8mm | |
| Altezza | 18.9mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 8A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1kV | ||
Tipo di package TO-3PN | ||
Serie QFET | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.45Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 53nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 225W | ||
Tensione diretta Vf 1.4V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 15.8mm | ||
Altezza 18.9mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- MY
MOSFET a canale N QFET® da 6 A a 10,9 A, Fairchild Semiconductor
I nuovi MOSFET planari QFET® di Fairchild Semiconductor adottano un'avanzata tecnologia brevettata al fine di offrire le migliori prestazioni operative della categoria per un'ampia gamma di applicazioni, tra cui alimentatori, correzione del fattore di potenza (PFC), convertitori c.c.-c.c., display al plasma (PDP), resistenze di illuminazione, e controllo del movimento.
Garantiscono ridotte perdite allo stato attivo grazie a una minore resistenza (RDS(on)) e ridotte perdite di commutazione grazie a una minore carica di gate (Qg) e capacità di uscita (Coss). L'avanzata tecnologia di processo QFET® consente a Fairchild di offrire un migliore fattore di merito (FOM) rispetto ai dispositivi MOSFET planari della concorrenza.
Transistor MOSFET, ON Semi
Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.