MOSFET onsemi, canale P, 470 mΩ, 11,5 A, TO-220AB, Su foro

Marchio

onsemi

Tipo di canale

P

Corrente massima continuativa di drain

11,5 A

Tensione massima drain source

200 V

Tipo di package

TO-220AB

Serie

QFET

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

470 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate minima

3V

Dissipazione di potenza massima

120 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-30 V, +30 V

Carica gate tipica @ Vgs

31 nC a 10 V

Massima temperatura operativa

+150 °C

Lunghezza

10.1mm

Larghezza

4.7mm

Materiale del transistor

Si

Numero di elementi per chip

1

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

9.4mm