MOSFET onsemi, canale N, 52 mΩ, 33 A, TO-220AB, Su foro

Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

33 A

Tensione massima drain source

100 V

Tipo di package

TO-220AB

Serie

QFET

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

52 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate minima

2V

Dissipazione di potenza massima

127 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-25 V, +25 V

Massima temperatura operativa

+175 °C

Lunghezza

10.67mm

Numero di elementi per chip

1

Carica gate tipica @ Vgs

38 nC a 10 V

Materiale del transistor

Si

Larghezza

4.83mm

Altezza

9.4mm

Minima temperatura operativa

-55 °C