1 MOSFET onsemi Singolo, canale N, 39 mΩ, 43 A 100 V, JEDEC TO-220AB, Foro passante Miglioramento, 3 Pin FQP44N10
- Codice RS:
- 671-5111P
- Codice costruttore:
- FQP44N10
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 671-5111P
- Codice costruttore:
- FQP44N10
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tipo di canale | N | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds) | 39 mΩ | |
| Massima corrente di scarico continua (Id) | 43 A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico (Vds) | 100 V | |
| Tipo di package | JEDEC TO-220AB | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Numero pin | 3 | |
| Altezza | 9.4 mm | |
| Lunghezza | 10.1 mm | |
| Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs) | 25 V, -25 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175 °C | |
| Dissipazione di potenza massima (Pd) | 146 W | |
| Minima temperatura operativa | -55 °C | |
| Serie | QFET | |
| Larghezza | 4.7 mm | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tipo di canale N | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds) 39 mΩ | ||
Massima corrente di scarico continua (Id) 43 A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico (Vds) 100 V | ||
Tipo di package JEDEC TO-220AB | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Numero pin 3 | ||
Altezza 9.4 mm | ||
Lunghezza 10.1 mm | ||
Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs) 25 V, -25 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175 °C | ||
Dissipazione di potenza massima (Pd) 146 W | ||
Minima temperatura operativa -55 °C | ||
Serie QFET | ||
Larghezza 4.7 mm | ||
- Paese di origine:
- MY
QFET® N-Channel MOSFET, over 31A, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor’s new QFET® Planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using Advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing Planar MOSFET devices.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.