MOSFET QFET a canale P onsemi, canale Tipo P 500 V, 4.9 Ω Miglioramento, 2.7 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Foro passante
- Codice RS:
- 671-5118P
- Codice costruttore:
- FQP3P50
- Costruttore:
- onsemi
Prezzo per 5 unità (fornito in tubo)*
7,91 €
(IVA esclusa)
9,65 €
(IVA inclusa)
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 5 + | 1,582 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 671-5118P
- Codice costruttore:
- FQP3P50
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET QFET a canale P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 2.7A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 500V | |
| Tipo di package | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | QFET | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 4.9Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 18nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±30 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 85W | |
| Minima temperatura operativa | 55°C | |
| Tensione diretta Vf | -5V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 9.4mm | |
| Lunghezza | 10.1mm | |
| Larghezza | 4.7 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET QFET a canale P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 2.7A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 500V | ||
Tipo di package JEDEC TO-220AB | ||
Serie QFET | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4.9Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 18nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±30 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 85W | ||
Minima temperatura operativa 55°C | ||
Tensione diretta Vf -5V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 9.4mm | ||
Lunghezza 10.1mm | ||
Larghezza 4.7 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET a canale P QFET®, Fairchild Semiconductor
I nuovi MOSFET planari QFET® FairField Semiconductor utilizzano una tecnologia avanzata e proprietaria per offrire le migliori prestazioni operative della classe per un'ampia gamma di applicazioni, tra cui alimentatori, PFC (correzione del fattore di potenza), convertitori c.c.-c.c., pannelli display al plasma (PDP), ballast di illuminazione e controllo del movimento.
Offrono una perdita di stato on ridotta riducendo la resistenza di on (RDS(on)), e una perdita di commutazione ridotta riducendo la carica del gate (Qg) e la capacità di uscita (Coss). Utilizzando la tecnologia di processo QFET® avanzata, Fairchild è in grado di offrire una cifra di merito (FOM) migliorata rispetto ai dispositivi MOSFET Planar concorrenti.
Transistor MOSFET, ON Semi
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I MOSFET semi-ON forniscono un'affidabilità di progettazione superiore, dai picchi di tensione ridotti e dall'eccesso di sovratensione, alla capacità di giunzione più bassa e alla carica di recupero inverso, all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi in funzione e funzionanti più a lungo.