MOSFET QFET a canale P onsemi, canale Tipo P 500 V, 4.9 Ω Miglioramento, 2.7 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Foro passante
- Codice RS:
- 671-5118P
- Codice costruttore:
- FQP3P50
- Costruttore:
- onsemi
- Codice RS:
- 671-5118P
- Codice costruttore:
- FQP3P50
- Costruttore:
- onsemi
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET QFET a canale P | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 2.7A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 500V | |
| Tipo di package | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | QFET | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 4.9Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 18nC | |
| Minima temperatura operativa | 55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 85W | |
| Tensione diretta Vf | -5V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 4.7mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 10.1mm | |
| Altezza | 9.4mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Tipo prodotto | MOSFET QFET a canale P | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tensione massima della sorgente di scarico (Vds) | 500 V | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds) | 4.9 Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Massima corrente di scarico continua (Id) | 2.7 A | |
| Numero pin | 3 | |
| Tipo di package | JEDEC TO-220AB | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Standard automobilistico | No | |
| Tensione diretta (Vf) | -5 V | |
| Altezza | 9.4 mm | |
| Lunghezza | 10.1 mm | |
| Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs) | 30 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150 °C | |
| Dissipazione di potenza massima (Pd) | 85 W | |
| Minima temperatura operativa | 55 °C | |
| Serie | QFET | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs | 18 nC | |
| Larghezza | 4.7 mm | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET QFET a canale P | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 2.7A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 500V | ||
Tipo di package JEDEC TO-220AB | ||
Serie QFET | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4.9Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 18nC | ||
Minima temperatura operativa 55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 85W | ||
Tensione diretta Vf -5V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 4.7mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 10.1mm | ||
Altezza 9.4mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Tipo prodotto MOSFET QFET a canale P | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tensione massima della sorgente di scarico (Vds) 500 V | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds) 4.9 Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Massima corrente di scarico continua (Id) 2.7 A | ||
Numero pin 3 | ||
Tipo di package JEDEC TO-220AB | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Standard automobilistico No | ||
Tensione diretta (Vf) -5 V | ||
Altezza 9.4 mm | ||
Lunghezza 10.1 mm | ||
Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs) 30 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150 °C | ||
Dissipazione di potenza massima (Pd) 85 W | ||
Minima temperatura operativa 55 °C | ||
Serie QFET | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs 18 nC | ||
Larghezza 4.7 mm | ||