MOSFET STMicroelectronics, canale N 100 V, 10.5 mΩ Miglioramento, 120 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
687-5065P
Codice costruttore:
STB120NF10T4
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

120A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-263

Serie

STripFET II

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

10.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Tensione diretta Vf

1.3V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

172nC

Dissipazione di potenza massima Pd

312W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

10.4mm

Altezza

4.6mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

9.35mm

Standard automobilistico

No

STripFET™ II a canale N, STMicroelectronics


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Transistor MOSFET, STMicroelectronics


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