MOSFET STMicroelectronics, canale N, 45 mΩ, 35 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 687-5194
- Codice costruttore:
- STB30NF10T4
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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Aggiunto
Prezzo per 1pz in confezione da 5
1,578 €
(IVA esclusa)
1,925 €
(IVA inclusa)
| Unità | Per unità | Per Pack* |
| 5 - 5 | 1,578 € | 7,89 € |
| 10 - 95 | 1,33 € | 6,65 € |
| 100 - 495 | 1,034 € | 5,17 € |
| 500 - 995 | 0,882 € | 4,41 € |
| 1000 + | 0,736 € | 3,68 € |
| *prezzo indicativo | ||
- Codice RS:
- 687-5194
- Codice costruttore:
- STB30NF10T4
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
STripFET™ II a canale N, STMicroelectronics
I MOSFET STripFET™ con gamma di tensione di scarica distruttiva offrono una carica di gate ultra-bassa e bassa resistenza all'accensione.
Transistor MOSFET, STMicroelectronics
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 35 A |
| Tensione massima drain source | 100 V |
| Serie | STripFET II |
| Tipo di package | D2PAK (TO-263) |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Numero pin | 3 |
| Resistenza massima drain source | 45 mΩ |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate massima | 4V |
| Tensione di soglia gate minima | 2V |
| Dissipazione di potenza massima | 115 W |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Tensione massima gate source | -20 V, +20 V |
| Materiale del transistor | Si |
| Larghezza | 9.35mm |
| Lunghezza | 10.4mm |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Carica gate tipica @ Vgs | 40 nC a 10 V |
| Massima temperatura operativa | +175 °C |
| Minima temperatura operativa | -55 °C |
| Altezza | 4.6mm |
- Codice RS:
- 687-5194
- Codice costruttore:
- STB30NF10T4
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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