MOSFET STMicroelectronics, canale N, 18 mΩ, 50 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Codice RS:: 687-5197P
Codice costruttore:: STB55NF06T4
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 18 mΩ, 50 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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Codice RS:: 687-5197P
Codice costruttore:: STB55NF06T4
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET N-ch 50A 60V STripFET II D2PAK
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	50 A
Tensione massima drain source	60 V
Serie	STripFET II
Tipo di package	D2PAK (TO-263)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	18 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	110 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	44,5 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+175 °C
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	9.35mm
Lunghezza	10.4mm
Altezza	4.6mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 18 mΩ, 50 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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STripFET™ II a canale N, STMicroelectronics