MOSFET STMicroelectronics, canale N, 10,5 mΩ, 120 A, TO-220, Su foro

Codice RS:: 687-5295P
Codice costruttore:: STP120NF10
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 10,5 mΩ, 120 A, TO-220, Su foro

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Codice RS:: 687-5295P
Codice costruttore:: STP120NF10
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET N-ch 120A 100V STripFET II D2PAK
Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	120 A
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	TO-220
Serie	STripFET II
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	10,5 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	312 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	172 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	10.4mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	4.6mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	9.15mm

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 10,5 mΩ, 120 A, TO-220, Su foro

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STripFET™ II a canale N, STMicroelectronics