MOSFET Infineon, canale N, 2 mΩ, 350 A, TO247AC, Su foro

Codice RS:: 688-6986P
Codice costruttore:: IRFP4004PBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 2 mΩ, 350 A, TO247AC, Su foro

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Codice RS:: 688-6986P
Codice costruttore:: IRFP4004PBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET N-ch HEXFET 40V 350A TO247AC
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	350 A
Tensione massima drain source	40 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	TO247AC
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	2 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	380 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Larghezza	5.31mm
Lunghezza	15.87mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	220 nC a 10 V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	20.7mm

MOSFET Infineon, canale N, 2 mΩ, 350 A, TO247AC, Su foro

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MOSFET di potenza a canale N da 40 V, Infineon