Transistor MOSFET Infineon, canale N, 6 mΩ, 93 A, IPAK, Su foro

Codice RS:: 688-7140
Codice costruttore:: IRFU3711ZPBF
Costruttore:: Infineon

Transistor MOSFET Infineon, canale N, 6 mΩ, 93 A, IPAK, Su foro

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Codice RS:: 688-7140
Codice costruttore:: IRFU3711ZPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET N-ch HEXFET 20V 93A IPAK

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	93 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	IPAK
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	6 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.45V
Tensione di soglia gate minima	1.55V
Dissipazione di potenza massima	79 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	18 nC a 4,5 V
Lunghezza	6.6mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Larghezza	2.3mm
Numero di elementi per chip	1
Altezza	6.1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

Transistor MOSFET Infineon, canale N, 6 mΩ, 93 A, IPAK, Su foro

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MOSFET di potenza a canale N, da 12 V a 25 V, Infineon