MOSFET Infineon, canale N, 3 mΩ, 200 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

200 A

Tensione massima drain source

40 V

Tipo di package

D2PAK (TO-263)

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

3 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

2.7V

Tensione di soglia gate minima

1.4V

Dissipazione di potenza massima

230 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-16 V, +16 V

Materiale del transistor

Si

Carica gate tipica @ Vgs

75 nC a 5 V

Numero di elementi per chip

1

Lunghezza

10.67mm

Massima temperatura operativa

+175 °C

Larghezza

9.65mm

Altezza

4.83mm

Serie

HEXFET

Minima temperatura operativa

-55 °C