MOSFET DiodesZetex, canale P, 190 mΩ, 3,7 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Codice RS:: 708-2624P
Codice costruttore:: ZXMP10A18GTA
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale P, 190 mΩ, 3,7 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 708-2624P
Codice costruttore:: ZXMP10A18GTA
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET P-ch 3.7A 100V SOT223
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	3,7 A
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	SOT-223
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	190 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Dissipazione di potenza massima	3.9 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Lunghezza	6.7mm
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	26,9 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Larghezza	3.7mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.7mm

MOSFET DiodesZetex, canale P, 190 mΩ, 3,7 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale P, da 100 V a 450 V, Diodes Inc