MOSFET Vishay, canale N 40 V, 0.012 Ω Miglioramento, 19 A, 8 Pin, SOIC, Superficie SI4840BDY-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
710-4736P
Codice costruttore:
SI4840BDY-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

19A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.012Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

6W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

33nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

4mm

Standard/Approvazioni

RoHS, JEDEC JS709A, Halogen Free (IEC 61249-2-21)

Lunghezza

5mm

Altezza

1.55mm

Standard automobilistico

No

MOSFET canale N, da 30V a 50V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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