Transistor MOSFET Vishay, canale P, 25 mΩ, 5.3 A, SOIC, Montaggio superficiale

Marchio

Vishay

Tipo di canale

P

Corrente massima continuativa di drain

5.3 A

Tensione massima drain source

30 V

Tipo di package

SOIC

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima drain source

25 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate minima

1V

Dissipazione di potenza massima

1100 mW

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Lunghezza

5mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Numero di elementi per chip

2

Carica gate tipica @ Vgs

33 nC a 10 V

Larghezza

4mm

Altezza

1.55mm

Minima temperatura operativa

-55 °C