MOSFET Infineon, canale N, 27 mΩ, 5,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 725-9344
Codice costruttore:: IRLML0030TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 27 mΩ, 5,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Unità	Per unità	Per confezione**
20 - 180	0,141 €	2,82 €
200 - 480	0,10 €	2,00 €
500 - 980	0,092 €	1,84 €
1000 - 1980	0,087 €	1,74 €
2000 +	0,08 €	1,60 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 725-9344
Codice costruttore:: IRLML0030TRPBF
Costruttore:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	5,3 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOT-23
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	27 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.3V
Tensione di soglia gate minima	1.3V
Dissipazione di potenza massima	1,3 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	2,6 nC @ 4,5 V
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	3.04mm
Larghezza	1.4mm
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.02mm

MOSFET Infineon, canale N, 27 mΩ, 5,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale N da 30 V, Infineon

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