MOSFET DiodesZetex, canale N, 600 mΩ, 1,2 A, SM, Montaggio superficiale

Codice RS:: 738-5200
Codice costruttore:: ZXMS6004DT8TA
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 600 mΩ, 1,2 A, SM, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 738-5200
Codice costruttore:: ZXMS6004DT8TA
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET IntelliFET N-ch 60V 1.2A 0.5R SM8
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	1,2 A
Tensione massima drain source	60 V
Serie	IntelliFET
Tipo di package	SM
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	600 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.5V
Dissipazione di potenza massima	2,13 W
Configurazione transistor	Isolato
Larghezza	3.95mm
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	2
Lunghezza	4.95mm
Massima temperatura operativa	+125 °C
Minima temperatura operativa	-40 °C
Altezza	1.5mm

MOSFET DiodesZetex, canale N, 600 mΩ, 1,2 A, SM, Montaggio superficiale

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MOSFET IntelliFET a protezione automatica, Diodes Inc

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