MOSFET Semelab, canale N, 5 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 738-7660P
Codice costruttore:: D1011UK
Costruttore:: Semelab

MOSFET Semelab, canale N, 5 A, SOIC, Montaggio superficiale

Prodotto discontinuato

Codice RS:: 738-7660P
Codice costruttore:: D1011UK
Costruttore:: Semelab

RF MOSFET 10W 28V 500MHz SingleEnded SO8
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	5 A
Tensione massima drain source	70 V
Serie	TetraFET
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	7V
Dissipazione di potenza massima	30 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	5.08mm
Lunghezza	4.06mm
Massima temperatura operativa	+200 °C
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Altezza	2.18mm

MOSFET Semelab, canale N, 5 A, SOIC, Montaggio superficiale

Transistor MOSFET RF, Semelab