2 MOSFET di potenza onsemi Tipo isolato, canale N, 4 Ω, 510 mA 50 V, SOT-23, Superficie Miglioramento, 6 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
739-0161P
Codice costruttore:
NDC7002N
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

510mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

50V

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

1nC

Dissipazione di potenza massima Pd

960mW

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Tensione diretta Vf

800mV

Configurazione transistor

Tipo isolato

Temperatura massima di funzionamento

+150°C

Larghezza

1.7mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3mm

Altezza

1mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

MOSFET doppio in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor


I transistor a effetto di campo in modalità potenziata vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cellulare brevettata Fairchild. Questo processo ad altissima densità è stato ideato per ridurre al minimo le resistenza in stato attivo e garantisce prestazioni solide e affidabili nonché una commutazione rapida.

Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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