MOSFET onsemi, canale Tipo N 30 V, 230 mΩ Miglioramento, 1.7 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie NDS355AN

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
739-0167
Codice Distrelec:
304-45-674
Codice costruttore:
NDS355AN
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

1.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SOT-23

Serie

NDS355

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

230mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

500mW

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

3.5nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

0.94mm

Larghezza

1.4mm

Lunghezza

2.92mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor


I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cellulare brevettata da Fairchild. Questo processo ad alta densità è stato ideato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e garantisce prestazioni solide e affidabili nonché una commutazione rapida.

Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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