2 MOSFET onsemi Tipo isolato, canale Tipo N, 770 mΩ, 500 mA 25 V, US, Superficie Miglioramento, 6 Pin FDG6303N

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
739-0189
Codice costruttore:
FDG6303N
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

500mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

25V

Tipo di package

US

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

770mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

300mW

Tensione diretta Vf

0.8V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

1.64nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Tipo isolato

Lunghezza

2mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1mm

Larghezza

1.25 mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

MOSFET doppio in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor


I transistor a effetto di campo in modalità potenziata vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cellulare brevettata Fairchild. Questo processo ad altissima densità è stato ideato per ridurre al minimo le resistenza in stato attivo e garantisce prestazioni solide e affidabili nonché una commutazione rapida.

Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

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