MOSFET canale N 600V 9A TO220F
- Codice RS:
- 739-6178
- Codice costruttore:
- FCPF9N60NT
- Costruttore:
- Fairchild Semiconductor
Non disponibile
RS non distribuirà più questo prodotto.
- Codice RS:
- 739-6178
- Codice costruttore:
- FCPF9N60NT
- Costruttore:
- Fairchild Semiconductor
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Fairchild Semiconductor | |
| Tipo di canale | N | |
| Corrente massima continuativa di drain | 9 A | |
| Tensione massima drain source | 600 V | |
| Tipo di package | TO-220F | |
| Tipo di montaggio | Su foro | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima drain source | 385 mΩ | |
| Modalità del canale | Enhancement | |
| Dissipazione di potenza massima | 29,8 W | |
| Tensione massima gate source | -30 V, +30 V | |
| Numero di elementi per chip | 1 | |
| Minima temperatura operativa | -55 °C | |
| Carica gate tipica @ Vgs | 29 nC a 10 V | |
| Lunghezza | 10.16mm | |
| Massima temperatura operativa | +150 °C | |
| Larghezza | 4.7mm | |
| Altezza | 15.9mm | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Fairchild Semiconductor | ||
Tipo di canale N | ||
Corrente massima continuativa di drain 9 A | ||
Tensione massima drain source 600 V | ||
Tipo di package TO-220F | ||
Tipo di montaggio Su foro | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima drain source 385 mΩ | ||
Modalità del canale Enhancement | ||
Dissipazione di potenza massima 29,8 W | ||
Tensione massima gate source -30 V, +30 V | ||
Numero di elementi per chip 1 | ||
Minima temperatura operativa -55 °C | ||
Carica gate tipica @ Vgs 29 nC a 10 V | ||
Lunghezza 10.16mm | ||
Massima temperatura operativa +150 °C | ||
Larghezza 4.7mm | ||
Altezza 15.9mm | ||
MOSFET SupreMOS®, Fairchild Semiconductor
Fairchild offre una nuova generazione di MOSFET a supergiunzione da 600 V - SupreMOS®.
La combinazione di una bassa resistenza RDS(on) e una bassa carica di gate totale comporta un fattore di merito (FOM) inferiore del 40% rispetto ai MOSFET SuperFET™ da 600 V di Fairchild. Inoltre, la famiglia SupreMOS offre una bassa carica di gate per la stessa resistenza RDS(on), garantendo eccellenti prestazioni di commutazione nonché perdite di commutazione e conduzione inferiori del 20%, il che si traduce in una maggiore efficienza.
Queste caratteristiche permettono agli alimentatori di soddisfare la classificazione ENERGY STAR® 80 PLUS Gold per i PC desktop e la classificazione Platinum per i server.
La combinazione di una bassa resistenza RDS(on) e una bassa carica di gate totale comporta un fattore di merito (FOM) inferiore del 40% rispetto ai MOSFET SuperFET™ da 600 V di Fairchild. Inoltre, la famiglia SupreMOS offre una bassa carica di gate per la stessa resistenza RDS(on), garantendo eccellenti prestazioni di commutazione nonché perdite di commutazione e conduzione inferiori del 20%, il che si traduce in una maggiore efficienza.
Queste caratteristiche permettono agli alimentatori di soddisfare la classificazione ENERGY STAR® 80 PLUS Gold per i PC desktop e la classificazione Platinum per i server.
Transistor MOSFET, ON Semi
Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.
