MOSFET Infineon, canale N, 7,7 mΩ, 100 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Codice RS:: 752-8340P
Codice costruttore:: IPB072N15N3GATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 7,7 mΩ, 100 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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Codice RS:: 752-8340P
Codice costruttore:: IPB072N15N3GATMA1
Costruttore:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	100 A
Tensione massima drain source	150 V
Serie	OptiMOS™ 3
Tipo di package	D2PAK (TO-263)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	7,7 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	300 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	9.45mm
Lunghezza	10.31mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Carica gate tipica @ Vgs	70 nC a 10 V
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	4.57mm

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MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™3, 100 V e superiori