MOSFET onsemi, canale Tipo N 250 V, 94 mΩ Miglioramento, 33 A, 3 Pin, TO-263, Superficie
- Codice RS:
- 759-8973P
- Codice costruttore:
- FDB33N25TM
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 759-8973P
- Codice costruttore:
- FDB33N25TM
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 33A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 250V | |
| Serie | UniFET | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 94mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.4V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 36.8nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 235W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 4.83mm | |
| Lunghezza | 10.67mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 33A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 250V | ||
Serie UniFET | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 94mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.4V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 36.8nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 235W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 4.83mm | ||
Lunghezza 10.67mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET a canale N UniFET™, Fairchild Semiconductor
Il MOSFET UniFET™ è una famiglia di MOSFET ad alta tensione di Fairchild Semiconductor. Presenta la più piccola resistenza in stato attivo fra i MOSFET planari e fornisce inoltre eccellenti prestazioni di commutazione e una maggiore resistenza all'energia dell'effetto valanga. Inoltre, il diodo ESD gate-sorgente interno consente al MOSFET UniFET-II™ di sopportare sollecitazioni da sovratensioni HBM di oltre 2000 V.
I MOSFET UniFET™ sono adatti per le applicazioni con convertitori di potenza switching, come la correzione del fattore di potenza (PFC), alimentazione TV di display a schermo piatto (FPD), ATX (Advanced Technology eXtended) e resistenze elettroniche per lampade.
Transistor MOSFET, ON Semi
Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.