MOSFET onsemi, canale N, 3,2 mΩ, 235 A, TO-220, Su foro

Codice RS:: 759-9169P
Codice costruttore:: FDP032N08
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 3,2 mΩ, 235 A, TO-220, Su foro

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Codice RS:: 759-9169P
Codice costruttore:: FDP032N08
Costruttore:: onsemi

FDP032N08, PowerTrench 75V N-Channel MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	235 A
Tensione massima drain source	75 V
Serie	PowerTrench
Tipo di package	TO-220
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	3,2 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	2.5V
Dissipazione di potenza massima	375 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	4.5mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	169 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	9.9mm
Altezza	15.7mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale N, 3,2 mΩ, 235 A, TO-220, Su foro

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MOSFET a canale N PowerTrench® oltre 60 A, Fairchild Semiconductor