MOSFET onsemi, canale N 250 V, 225 mΩ Miglioramento, 3 A, 8 Pin, SOIC, Superficie FDS2734
- Codice RS:
- 759-9197P
- Codice costruttore:
- FDS2734
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 759-9197P
- Codice costruttore:
- FDS2734
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 3A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 250V | |
| Serie | UltraFET | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 225mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2.5W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 32nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 4mm | |
| Altezza | 1.5mm | |
| Larghezza | 5mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 3A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 250V | ||
Serie UltraFET | ||
Tipo di package SOIC | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 225mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2.5W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 32nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 4mm | ||
Altezza 1.5mm | ||
Larghezza 5mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor
I MOSFET Trench UItraFET® combinano caratteristiche che garantiscono un'elevata efficienza nelle applicazioni di conversione di potenza. Il dispositivo è in grado di sopportare un'energia elevata nella modalità a valanga e il diodo mostra un tempo di recupero inverso e una carica immagazzinata molto bassi. Ottimizzato per garantire efficienza alle alte frequenze, una bassissima resistenza RDS(on), una bassa ESR e una carica di gate totale e Miller bassa.
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Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.