Codice costruttore

MOSFET onsemi, canale Tipo N 100 V, 189 mΩ Miglioramento, 3.3 A, 4 Pin, SOT-223, Superficie FDT86113LZ

Codice RS:: 759-9715P
Codice costruttore:: FDT86113LZ
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale Tipo N 100 V, 189 mΩ Miglioramento, 3.3 A, 4 Pin, SOT-223, Superficie FDT86113LZ

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Codice RS:: 759-9715P
Codice costruttore:: FDT86113LZ
Costruttore:: onsemi

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Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	3.3A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	100V
	Serie	PowerTrench
	Tipo di package	SOT-223
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	4
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	189mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	2.2W
	Tensione diretta Vf	1.3V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	4.1nC
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Altezza	1.7mm
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	3.7mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio onsemi
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 3.3A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V
	Serie PowerTrench
	Tipo di package SOT-223
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 4
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 189mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 2.2W
	Tensione diretta Vf 1.3V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 4.1nC
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Altezza 1.7mm
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 3.7mm
	Standard automobilistico No

MOSFET a canale N PowerTrench® fino a 9,9A, Fairchild Semiconductor

Transistor MOSFET, ON Semi

Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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