MOSFET Toshiba, canale N, 40 Ω, 50 mA, USM, Montaggio superficiale

Codice RS:: 760-3114P
Codice costruttore:: 2SK1829(TE85L,F)
Costruttore:: Toshiba

MOSFET Toshiba, canale N, 40 Ω, 50 mA, USM, Montaggio superficiale

Prodotto discontinuato

Codice RS:: 760-3114P
Codice costruttore:: 2SK1829(TE85L,F)
Costruttore:: Toshiba

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	50 mA
Tensione massima drain source	20 V
Serie	2SK
Tipo di package	USM
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	40 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.5V
Dissipazione di potenza massima	100 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-10 V, +10 V
Larghezza	1.25mm
Lunghezza	2mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Altezza	0.9mm

MOSFET Toshiba, canale N, 40 Ω, 50 mA, USM, Montaggio superficiale

MOSFET a canale N , serie 2SK, Toshiba