MOSFET STMicroelectronics, canale N, 550 mΩ, 10 A, TO-220, Su foro

Codice RS:: 760-9972P
Codice costruttore:: STP10NM60N
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 550 mΩ, 10 A, TO-220, Su foro

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Codice RS:: 760-9972P
Codice costruttore:: STP10NM60N
Costruttore:: STMicroelectronics

STD10NM60N, STF10NM60N, STI10NM60N, STP10NM60N, STU10NM60N, N-channel 600V, 0.53 Ohm typ., 10A MDmesh II Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, I2PAK, TO-220 and IPAK packages
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	10 A
Tensione massima drain source	600 V
Tipo di package	TO-220
Serie	MDmesh
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	550 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	70 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-25 V, +25 V
Carica gate tipica @ Vgs	19 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Larghezza	4.6mm
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	10.4mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	15.75mm

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 550 mΩ, 10 A, TO-220, Su foro

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MDmesh™ a canale N, 600 V/650 V, STMicroelectronics