1 MOSFET STMicroelectronics Singolo, canale N, 8 mΩ, 80 A 55 V, TO-220, Foro passante Miglioramento, 3 Pin STP80NF55L-06
- Codice RS:
- 761-0193P
- Codice costruttore:
- STP80NF55L-06
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 761-0193P
- Codice costruttore:
- STP80NF55L-06
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tipo di canale | N | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds) | 8 mΩ | |
| Massima corrente di scarico continua (Id) | 80 A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico (Vds) | 55 V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Numero pin | 3 | |
| Altezza | 15.75 mm | |
| Lunghezza | 10.4 mm | |
| Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs) | 16 V, -16 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175 °C | |
| Dissipazione di potenza massima (Pd) | 300 W | |
| Minima temperatura operativa | -55 °C | |
| Serie | STripFET II | |
| Larghezza | 4.6 mm | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tipo di canale N | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds) 8 mΩ | ||
Massima corrente di scarico continua (Id) 80 A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico (Vds) 55 V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Numero pin 3 | ||
Altezza 15.75 mm | ||
Lunghezza 10.4 mm | ||
Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs) 16 V, -16 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175 °C | ||
Dissipazione di potenza massima (Pd) 300 W | ||
Minima temperatura operativa -55 °C | ||
Serie STripFET II | ||
Larghezza 4.6 mm | ||
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.