MOSFET STMicroelectronics, canale N, 79 mΩ, 33 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Codice RS:: 761-0402P
Codice costruttore:: STB42N65M5
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 79 mΩ, 33 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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Codice RS:: 761-0402P
Codice costruttore:: STB42N65M5
Costruttore:: STMicroelectronics

N-channel 650 V, 0.070 Ohm, 33 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in D2PAK
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	33 A
Tensione massima drain source	650 V
Serie	MDmesh M5
Tipo di package	D2PAK (TO-263)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	79 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5V
Tensione di soglia gate minima	3V
Dissipazione di potenza massima	190 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-25 V, +25 V
Carica gate tipica @ Vgs	100 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	10.75mm
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	10.4mm
Altezza	4.6mm

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 79 mΩ, 33 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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MDmesh™ a canale N serie M5, STMicroelectronics