MOSFET STMicroelectronics, canale N 550 V, 240 mΩ Miglioramento, 13 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
761-0418P
Codice costruttore:
STD18N55M5
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

13A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

550V

Serie

MDmesh M5

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

240mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.5V

Dissipazione di potenza massima Pd

90W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

31nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.6mm

Larghezza

6.2mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

2.4mm

Standard automobilistico

No

MDmesh™ a canale N serie M5, STMicroelectronics


I MOSFET di potenza MDmesh M5 sono ottimizzati per le topologie PFC e PWM ad alta potenza. Le caratteristiche principali includono una bassa perdita in stato attivo per ogni area di silicio unitamente a una bassa carica di gate. Sono progettati per applicazioni hard switching compatte, affidabili e a risparmio energetico, come ad esempio convertitori di energia solare, alimentatori per prodotti di consumo e comandi di illuminazione elettronici.

Transistor MOSFET, STMicroelectronics


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