MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 650 V, 279 mΩ Miglioramento, 12 A, 3 Pin, TO-252, Superficie STD16N65M5
- Codice RS:
- 761-0689P
- Codice costruttore:
- STD16N65M5
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- STD16N65M5
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 12A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | MDmesh M5 | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 279mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 31nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.5V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 90W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 2.4mm | |
| Lunghezza | 6.6mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 12A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie MDmesh M5 | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 279mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 31nC | ||
Tensione diretta Vf 1.5V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 90W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 2.4mm | ||
Lunghezza 6.6mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
MDmesh™ a canale N serie M5, STMicroelectronics
I MOSFET di potenza MDmesh M5 sono ottimizzati per le topologie PFC e PWM ad alta potenza. Le caratteristiche principali includono una bassa perdita in stato attivo per ogni area di silicio unitamente a una bassa carica di gate. Sono progettati per applicazioni hard switching compatte, affidabili e a risparmio energetico, come ad esempio convertitori di energia solare, alimentatori per prodotti di consumo e comandi di illuminazione elettronici.