MOSFET onsemi, canale N 50 V, 47 mΩ Miglioramento, 16 A, 3 Pin, TO-252, Superficie
- Codice RS:
- 761-3574P
- Codice costruttore:
- RFD16N05LSM9A
- Costruttore:
- onsemi
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 50 - 95 | 1,104 € |
| 100 - 495 | 0,958 € |
| 500 - 995 | 0,842 € |
| 1000 + | 0,768 € |
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- Codice RS:
- 761-3574P
- Codice costruttore:
- RFD16N05LSM9A
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 16A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 50V | |
| Serie | MegaFET | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 47mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 60W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 10V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 80nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 6.73mm | |
| Larghezza | 6.22mm | |
| Altezza | 2.39mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 16A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 50V | ||
Serie MegaFET | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 47mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 60W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 10V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 80nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 6.73mm | ||
Larghezza 6.22mm | ||
Altezza 2.39mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET MegaFET, Fairchild Semiconductor
Il processo MegaFET, che utilizza dimensioni strutturali simili a quelle dei circuiti integrati LSI, offre un utilizzo ottimale del silicio, che si traduce in eccellenti prestazioni.
Transistor MOSFET, ON Semi
Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.