2 MOSFET di potenza onsemi Tipo isolato, canale Tipo P, Tipo N, 10 Ω, 510 mA 60 V, SOT-23, Superficie Miglioramento, 6
- Codice RS:
- 761-4574P
- Codice costruttore:
- NDC7001C
- Costruttore:
- onsemi
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- 761-4574P
- Codice costruttore:
- NDC7001C
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | Tipo P, Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 510mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | SOT-23 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 10Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -20V, +20V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 960mW | |
| Tensione diretta Vf | 800mV | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 1.1nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | +150°C | |
| Configurazione transistor | Tipo isolato | |
| Lunghezza | 3mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 1mm | |
| Larghezza | 1.7mm | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale Tipo P, Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 510mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package SOT-23 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 10Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 960mW | ||
Tensione diretta Vf 800mV | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 1.1nC | ||
Temperatura massima di funzionamento +150°C | ||
Configurazione transistor Tipo isolato | ||
Lunghezza 3mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 1mm | ||
Larghezza 1.7mm | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico No | ||
Il NDC7001C è un doppio MOSFET a canale N e P che è dotato della tecnologia DMOS di ON Semi. DMOS garantisce una commutazione veloce, affidabilità e resistenza allo stato attivo. Questi MOSFET sono del tipo SOT-23 con 6 pin.
Caratteristiche e vantaggi:
• Tecnologia DMOS
• Elevata corrente di saturazione
• Struttura cellulare ad alta densità
• Struttura in rame per prestazioni termiche ed elettriche superiori
I MOSFET NDC7001C sono ideali per:
• Bassa tensione
• Bassa corrente
• Commutazione
• Alimentatori
MOSFET doppio in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor
I transistor a effetto di campo in modalità potenziata vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cellulare brevettata Fairchild. Questo processo ad altissima densità è stato ideato per ridurre al minimo le resistenza in stato attivo e garantisce prestazioni solide e affidabili nonché una commutazione rapida.
Transistor MOSFET, ON Semi
Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.