MOSFET Renesas Electronics, canale P, 630 mΩ, 4 A, SC-62, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 772-5210P
- Codice costruttore:
- 2SJ518AZTR-E
- Costruttore:
- Renesas Electronics
Non disponibile
RS non distribuirà più questo prodotto.
- Codice RS:
- 772-5210P
- Codice costruttore:
- 2SJ518AZTR-E
- Costruttore:
- Renesas Electronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Renesas Electronics | |
| Tipo di canale | P | |
| Corrente massima continuativa di drain | 4 A | |
| Tensione massima drain source | 60 V | |
| Tipo di package | SC-62 | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima drain source | 630 mΩ | |
| Modalità del canale | Enhancement | |
| Tensione di soglia gate massima | 2V | |
| Dissipazione di potenza massima | 1 W | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tensione massima gate source | -20 V, +20 V | |
| Numero di elementi per chip | 1 | |
| Materiale del transistor | Si | |
| Larghezza | 2.5mm | |
| Lunghezza | 4.5mm | |
| Massima temperatura operativa | +150 °C | |
| Altezza | 1.5mm | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Renesas Electronics | ||
Tipo di canale P | ||
Corrente massima continuativa di drain 4 A | ||
Tensione massima drain source 60 V | ||
Tipo di package SC-62 | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima drain source 630 mΩ | ||
Modalità del canale Enhancement | ||
Tensione di soglia gate massima 2V | ||
Dissipazione di potenza massima 1 W | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tensione massima gate source -20 V, +20 V | ||
Numero di elementi per chip 1 | ||
Materiale del transistor Si | ||
Larghezza 2.5mm | ||
Lunghezza 4.5mm | ||
Massima temperatura operativa +150 °C | ||
Altezza 1.5mm | ||