MOSFET Renesas Electronics, canale P, 230 mΩ, 48 A, TO-220 FM, Su foro

Marchio

Renesas Electronics

Tipo di canale

P

Corrente massima continuativa di drain

48 A

Tensione massima drain source

60 V

Tipo di package

TO-220 FM

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

230 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

2V

Dissipazione di potenza massima

25 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Larghezza

4.45mm

Lunghezza

10mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Numero di elementi per chip

1

Materiale del transistor

Si

Altezza

17mm