MOSFET onsemi, canale N, 5,5 mΩ, 117 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Codice RS:: 773-7881
Codice costruttore:: NTD4804NT4G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 5,5 mΩ, 117 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Prodotto discontinuato

Codice RS:: 773-7881
Codice costruttore:: NTD4804NT4G
Costruttore:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	117 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	DPAK (TO-252)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	5,5 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.5V
Dissipazione di potenza massima	107 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	6.22mm
Lunghezza	6.73mm
Carica gate tipica @ Vgs	30 nC a 4,5 V
Massima temperatura operativa	+175 °C
Materiale del transistor	Si
Altezza	2.38mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale N, 5,5 mΩ, 117 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

MOSFET di potenza a canale N, 30V, ON Semiconductor